Nội dung chính
Các nhà nghiên cứu Trung Quốc đã đạt được một bước tiến đột phá trong lĩnh vực công nghệ lưu trữ với việc chế tạo thành công PoX, thiết bị bộ nhớ flash nhanh nhất thế giới hiện nay.
PoX có khả năng lưu trữ dữ liệu với tốc độ đáng kinh ngạc là 1 bit trong 400 pico giây, vượt qua các thiết bị lưu trữ bán dẫn hiện có.
Tốc độ vượt trội
Thiết bị này sở hữu bộ nhớ điện tĩnh với tốc độ vượt trội so với công nghệ bộ nhớ bay hơi nhanh nhất hiện nay, vốn cần khoảng 1 đến 10 nano giây để lưu trữ 1 bit dữ liệu.
Để hiểu rõ về tốc độ này, cần biết rằng 1 pico giây bằng khoảng một phần nghìn nano giây hay một phần nghìn tỷ giây.
Ưu điểm của PoX
Các loại bộ nhớ bay hơi như SRAM hay DRAM sẽ mất dữ liệu khi mất nguồn cấp điện, không phù hợp với các hệ thống tiêu thụ điện năng thấp.
Ngược lại, PoX là một loại bộ nhớ điện tĩnh, có khả năng lưu trữ dữ liệu mà không cần nguồn điện, giúp tiết kiệm năng lượng.
Việc sử dụng graphene Dirac hai chiều và một cơ chế hoàn toàn mới đã giúp PoX phá vỡ giới hạn tốc độ của lưu trữ và truy cập thông tin bộ nhớ điện tĩnh.
Triển vọng tương lai
Các chuyên gia đánh giá cao công trình nghiên cứu này, cho rằng nó có tiềm năng định hình tương lai của thế hệ bộ nhớ flash tốc độ cao.
Trưởng nhóm nghiên cứu cho biết việc sử dụng các thuật toán AI để tối ưu hóa điều kiện thử nghiệm đã giúp nhóm phát triển công nghệ vượt bậc này.